shallowtrenchisolation半導体

淺槽隔離，即shallowtrenchisolation，簡稱STI。通常用於0.25um以下工藝，通過利用氮化硅掩膜經過澱積、圖形化、刻蝕硅後形成槽，並在槽中填充澱積氧化物， ...,由嚴永民著作·2011—ShallowTrenchIsolation(STI)techniquesareessentialforsemiconductordeviceforreducingelectricalinterferencesbetweendevicesofsub-microandsub100- ...,由黃國峰著作·2011—淺溝槽隔離平坦化技術在奈米半導體積體電路製造製程研究.StudyofNano-...

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淺槽隔離_百度百科

淺槽隔離，即shallow trench isolation，簡稱STI。通常用於0.25um以下工藝，通過利用氮化硅掩膜經過澱積、圖形化、刻蝕硅後形成槽，並在槽中填充澱積氧化物， ...

工學院半導體材料與製程設備學程碩士論文

由 嚴永民 著作 · 2011 — Shallow Trench Isolation (STI) techniques are essential for semiconductor device for reducing electrical interferences between devices of sub-micro and sub 100- ...

淺溝槽隔離平坦化技術在奈米半導體積體電路製造製程研究

由 黃國峰 著作 · 2011 — 淺溝槽隔離平坦化技術在奈米半導體積體電路製造製程研究. Study of Nano-scale Shallow Trench Isolation Planarization Process for Semiconductor Integrated Circuits ...

何謂STI? - WU MIN SHIN

2014年12月19日 — STI = Shallow Trench Isolation. 顧名思義就是在CMOS上挖一條溝渠來做隔離，那是隔離什麼呢? 因為在CMOS上會有P+與N+結合起來的depletion ...

TWI390665B

本發明是關於一種半導體裝置及其製造方法，特別是關於一種Dual－STI(Shallow Trench Isolation)的半導體裝置及其製造方法。 為了將半導體元件細微化及高速化，必須將元件 ...

CMOS淺溝槽隔離氧化層之高度差對元件特性之研究

本研究探討場發射金屬氧化半導電晶體（MOSFET）淺溝槽隔離絕緣層（Shallow Trench Isolation，STI）與鄰近電晶體主動區的高度差（Step-height）對元件特性的影響。

淺溝渠元件隔離技術現況與挑戰

2. Laura Peters, “Choices and Challenges for Shallow. Trench Isolation”, Semiconductor International,. April, 1999. 3. J. Gagliardi, R. Webb, C. Rueb, G. Menk, ...